|
eaDonNTU, Donetsk >
Научные труды ДонНТУ >
Серія: Металургія >
Випуск 12(177) >
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://ea.donntu.ru/handle/123456789/9671
|
| Название: | Особенности технологий кремниевых основ для получения поликристаллического кремния |
| Другие названия: | The Features of Technology of Silicon Bases for Obtaining Polycrystalline Silicon |
| Авторы: | Реков, Ю.В.
Червоный, И.Ф.
Кисарин, О.А.
Яркин, В.Н.
Куцова, В.З.
Егоров, С.Г. |
| Ключевые слова: | поликристаллический кремний,технология выращивания,водородное восстановление, хлорсилан,температурный градиент,механическая прочность
polycrystalline silicon,growth technology,hydrogen reducing,chlorsilan,thermal gradient,mechanical strength |
| Дата публикации: | 2010 |
| Издатель: | Донецький національний технічний університет |
| Библиографическое описание: | Наукові праці Донецького національного технічного університету. Серiя: металургія. Випуск: 12(177) - Донецьк: ДонНТУ. - 2009 |
| Аннотация: | Рассмотрены особенности выращивания кремниевых основ диаметром 6...10мм для последующего получения поликристаллического кремния методом водородного восстановления хлорсиланов. |
| Описание: | The work has considered particulaties of silicon bases growth with diameter 6...10mm for future obtaining of polycrystalline silicon by hydrogen reducing method of chlorsilans. |
| URI: | http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/9671 |
| Располагается в коллекциях: | Випуск 12(177)
|
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.
|
