|
eaDonNTU, Donetsk >
Автомобильно-дорожный институт >
Факультет "Транспортные и информационные технологии" >
Кафедра "Общенаучные дисциплины" >
Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни" >
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://ea.donntu.ru/handle/123456789/25088
|
| Название: | Исследование распределения дефектов в полупроводниковых пластинах интегральных схем при воздействии механических напряжений. |
| Авторы: | Надточий, В.А.
Уколов, А.И.
Щербина, И.Л.
Иванов, Р.И. |
| Ключевые слова: | напряжение
tension
дефекты
defects
дислокации
distributions
время жизни
time of life |
| Дата публикации: | 2013 |
| Издатель: | Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2013 - № 23 – 255 с. С 77 – 85. |
| Библиографическое описание: | Надточий В.А. Уколов А.И. Щербина И.Л. Иванов Р.И. Исследование распределения дефектов в полупроводниковых пластинах интегральных схем при воздействии механических напряжений.// Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2013 - № 23 |
| Аннотация: | В работе приведены зависимости напряжений в области действия сосредоточенной силы при трехопорном изгибе тонкой полупроводниковой пластины Ge . При выбранных размерах и условиях деформирования превышение напряжений в образце вблизи концентратора существенно на глубине до 25мкм и от него вдоль поверхности на расстоянии < 1.2 мм. Полученное методом структурного анализа распределение дефектов в приповерхностном слое качественно согласуется с результатами злектрических измерений времени жизни неосновных носителей заряда. Использованный зондовый метод измерения может быть рекомендован для контроля степени дефектности на малых фрагментах интегральных схем. |
| Описание: | Dependences over of tensions are in-process brought in area of action of the concentrated force at the three-supporting bend of semiconductor lamina of Ge . At the chosen sizes and terms of deformation exceeding of tensions in a standard near-by a concentrator is substantial on a depth to 25мкм and from it along a surface in the distance < 1.2 мм. Got the method of structural analysis distribution of defects in a приповерхностном layer qualitatively comports with the results of the злектрических measuring of time of life of unbasic carriers of charge. The used probe method of measuring can be recommended for control the degree of imperfectness on the small fragments of the integrated circuits. |
| URI: | http://ea.donntu.org/handle/123456789/25088 |
| ISBN: | 978-966-1554-82-4 |
| Располагается в коллекциях: | Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"
|
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.
|
