|
eaDonNTU, Donetsk >
Автомобильно-дорожный институт >
Факультет "Транспортные и информационные технологии" >
Кафедра "Общенаучные дисциплины" >
Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни" >
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://ea.donntu.ru/handle/123456789/25018
|
| Название: | Визначення швидкості поверхневої рекомбінації і її впливу на час життя нерівноважних носіїв заряду |
| Авторы: | Уколов, О.І.
Надточій, В.О
Калимбет, А.З. |
| Ключевые слова: | монокристал
single-crystal
швидкість поверхневої рекомбінації
speed of superficial recombination
час життя
time of life |
| Дата публикации: | 2011 |
| Издатель: | Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2011 - № 1 – 212 с. С 83 – 87. |
| Библиографическое описание: | Уколов О.І. Надточій В.О. Калимбет А.З. Визначення швидкості поверхневої рекомбінації і її впливу на час життя нерівноважних носіїв заряду // Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2011 - № 1 – 212 с. |
| Серия/номер: | УДК;539.4 |
| Аннотация: | Вимірювання структурно чутливих електрофізичних параметрів дозволяє визначити якість матеріалів для створення напівпровідникових пристроїв. У даній роботі розглянута теорія впливу швидкості поверхневої рекомбінації на час життя і довжину дифузії нерівноважних носіїв заряду в приповерхневих шарах напівпровідникового зразка. Отримані нові експериментальні результати параметрів рекомбінації нерівноважних носіїв заряду на розробленому вимірювальному пристрої з урахуванням впливу поверхні напівпровідника. |
| Описание: | Measuring structurally of sensible electrophysics parameters allows to define quality of materials for creation of semiconductor devices. In this work the considered theory of influence of speed of superficial recombination is in a time of life and length of diffusion of non-equilibrium transmitters of charge in the приповерхневих layers of semiconductor standard. The new experimental results of parameters of recombination of non-equilibrium transmitters of charge are got on the worked out measuring device taking into account influence of surface of semiconductor. |
| URI: | http://ea.donntu.org/handle/123456789/25018 |
| Располагается в коллекциях: | Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"
|
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.
|
