DSpace Community:

Кинетические характеристики процесса испарения капель воды в сфероидальном состоянии

Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT

Title: Кинетические характеристики процесса испарения капель воды в сфероидальном состоянии Authors: Базаянц, Георгий Вартанович; Базаянц, Георгій Вартанович; Bazayants, G.V.; Доненко, Виктория Дмитриевна; Доненко, Вікторія Дмитрівна; Donenko, V.D.; Калашникова, Ольга Борисовна; Калашнікова, Ольга Борисівна; Kalashnikova, O.B. Abstract: При анализе литературных экспериментальных данных по испарению капель воды при температурах ее перехода в сфероидальное состояние обнаружено, что молярная скорость испарения жидкости пропорциональна площади поверхности капли и описывается кинетическим уравнением, по форме аналогичным уравнению для простых химических реакций первого порядка. Предложены формулы для расчета всех кинетических характеристик этого процесса в температурном интервале 548–773 К. Определены численные значения энергии активации и предэкспоненциального множителя в классическом уравнении Аррениуса применительно к испарению воды в исследованных условиях. Description: On the basis of experimental data on small amounts of water evaporation on steel surface at temperatures of drops transition into spheroidal state it is shown that water evaporation molar velocity is proportional to the drop surface area and is described by the kinetic equation of the form which is analogous to the first order chemical reactions velocity equation. A new kinetic characteristic called the molar surface of sphere is sphere area of one mole of vaporizing liquid in the initial state. The use of kinetic characteristic has allowed combining all the kinetic parameters at any stage of the process of drop evaporation in spheroidal state: the velocity constant, the drop area in the initial state and its area at any point of time from the beginning of the evaporation as well as time of evaporating spheroid area half reaction. The mathematical treatment of obtained kinematic characteristics has allowed determining the energy of the water evaporation process activation and the preexponential factor value in the classical Arrhenius equation which takes the form of К = 2,8•10-4•ехр•[–4618/(R•T)] with respect to the studied conditions.

Применение плазменно-ионных покрытий для получения антикоррозионного барьера на деталях ядерного реактора

Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT

Title: Применение плазменно-ионных покрытий для получения антикоррозионного барьера на деталях ядерного реактора Authors: Бруяка, Ольга Олеговна Abstract: Даны результаты расчетов поверхностной энергии, энергии адгезии однокомпонентных и многокомпонентных материалов, а также энергии адгезии многослойных материалов, пер¬спективных для изготовления элементов жидкометаллических бланкетов термоядерных реакторов. Дан анализ влияния соотношения компонентов сплава V-nCr-mTi, являющегося основой литий-ванадиевого и литий-свинцового бланкетов ядерных реакторов на величину адгезионного взаимодействия. Description: Results of calculations of superficial energy, energy of adhesion of unicomponert and muiticomponent materials, and also energy of adhesion of multilayered matenais. perspective eiements for manufacturing liquids metals blankets thermonuclear reactocs are presented.The analysis of influence of a parity of components of alloy V-nCr-mTi which is a basis lithium-vanadic and lithium-lead blankets of nuclear reactors on size of adhesive interaction is given.

Исследование распределения дефектов в полупроводниковых пластинах интегральных схем при воздействии механических напряжений.

Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT

Title: Исследование распределения дефектов в полупроводниковых пластинах интегральных схем при воздействии механических напряжений. Authors: Надточий, В.А.; Уколов, А.И.; Щербина, И.Л.; Иванов, Р.И. Abstract: В работе приведены зависимости напряжений в области действия сосредоточенной силы при трехопорном изгибе тонкой полупроводниковой пластины Ge . При выбранных размерах и условиях деформирования превышение напряжений в образце вблизи концентратора существенно на глубине до 25мкм и от него вдоль поверхности на расстоянии < 1.2 мм. Полученное методом структурного анализа распределение дефектов в приповерхностном слое качественно согласуется с результатами злектрических измерений времени жизни неосновных носителей заряда. Использованный зондовый метод измерения может быть рекомендован для контроля степени дефектности на малых фрагментах интегральных схем. Description: Dependences over of tensions are in-process brought in area of action of the concentrated force at the three-supporting bend of semiconductor lamina of Ge . At the chosen sizes and terms of deformation exceeding of tensions in a standard near-by a concentrator is substantial on a depth to 25мкм and from it along a surface in the distance < 1.2 мм. Got the method of structural analysis distribution of defects in a приповерхностном layer qualitatively comports with the results of the злектрических measuring of time of life of unbasic carriers of charge. The used probe method of measuring can be recommended for control the degree of imperfectness on the small fragments of the integrated circuits.

Экспериментальное исследование полей температур в плоских деталях при действии лазерного излучения и получение наноструктур

Fri, 03 Jan 2014 00:00:00 GMT

Title: Экспериментальное исследование полей температур в плоских деталях при действии лазерного излучения и получение наноструктур Authors: Костюк, Геннадий Игоревич; Бруяка, Ольга Олеговна Abstract: Показана возможность выбора технологических параметров лазерной обработки для получения наноструктур Description: Possibility of choice of technological parameters of laser treatment is shown for the receipt of nanostructures