|
|
eaDonNTU, Donetsk >
Просмотр коллекции по группе - По автору Уколов, А.И.
Отображение результатов 1 до 8 из 8
| Дата публикации | Название | Автор(ы) | | 2008 | Анизотропная модель с двумя источниками кручения в теории Эйнштейна-Картана | Галиахметов, Алмаз Мансурович; Уколов, А.И.; Шилкин, В.А. |
| Июн-2011 | Измерение времени жизни неосновных носителей заряда в приповерхностном слое монокристаллического Ge зондовым методом | Уколов, А.И.; Ukolov, A.I.; Уколов, О.І. |
| 2012 | Измерение параметров рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерностных слоях монокристалического Ge. | Надточий, В.А.; Уколов, А.И.; Попов, О.К.; Перебайло, С.А. |
| 2012 | Исследование наноструктур на поверхности монокристаллического Ge методом атомно-силовой микроскопии. | Надточий, В.А.; Уколов, А.И.; Костенко, С.А.; Редникин, Д.Ю. |
| 2013 | Исследование распределения дефектов в полупроводниковых пластинах интегральных схем при воздействии механических напряжений. | Надточий, В.А.; Уколов, А.И.; Щербина, И.Л.; Иванов, Р.И. |
| 2010 | О применимости методик определения параметров рекомбинации носителей заряда к приповерхностным слоям полупроводника. | Уколов, А.И.; Надточий, В.А.; Калимбет, А.З.; Москаль, Д.С. |
| 2010 | О роли диффузионных механизмов в процессе релаксации напряжений на концентраторах в монокристаллическом германии. | Уколов, А.И.; Надточий, В.А.; Нечволод, Н.К. |
| 2012 | Формирование наноструктур в Ge при условии дислокационно-поверхностной диффузии | Надточий, В.А.; Уколов, А.И.; Нечволод, Н.К. |
Отображение результатов 1 до 8 из 8
|
