eaDonNTU, Donetsk >
Просмотр коллекции по группе - По автору Надточий, В.А.
Отображение результатов 1 до 6 из 6
Дата публикации | Название | Автор(ы) | 2012 | Измерение параметров рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерностных слоях монокристалического Ge. | Надточий, В.А.; Уколов, А.И.; Попов, О.К.; Перебайло, С.А. |
2012 | Исследование наноструктур на поверхности монокристаллического Ge методом атомно-силовой микроскопии. | Надточий, В.А.; Уколов, А.И.; Костенко, С.А.; Редникин, Д.Ю. |
2013 | Исследование распределения дефектов в полупроводниковых пластинах интегральных схем при воздействии механических напряжений. | Надточий, В.А.; Уколов, А.И.; Щербина, И.Л.; Иванов, Р.И. |
2010 | О применимости методик определения параметров рекомбинации носителей заряда к приповерхностным слоям полупроводника. | Уколов, А.И.; Надточий, В.А.; Калимбет, А.З.; Москаль, Д.С. |
2010 | О роли диффузионных механизмов в процессе релаксации напряжений на концентраторах в монокристаллическом германии. | Уколов, А.И.; Надточий, В.А.; Нечволод, Н.К. |
2012 | Формирование наноструктур в Ge при условии дислокационно-поверхностной диффузии | Надточий, В.А.; Уколов, А.И.; Нечволод, Н.К. |
Отображение результатов 1 до 6 из 6
|