|
eaDonNTU, Donetsk >
Автомобильно-дорожный институт >
Факультет "Транспортные и информационные технологии" >
Кафедра "Общенаучные дисциплины" >
Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни" >
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://ea.donntu.ru/handle/123456789/6903
|
| Название: | Измерение времени жизни неосновных носителей заряда в приповерхностном слое монокристаллического Ge зондовым методом |
| Авторы: | Уколов, А.И.
Ukolov, A.I.
Уколов, О.І. |
| Ключевые слова: | германий
germanium
время жизни
life time
дефекты структуры
defects structure
приповерхностный слой
subsurface layer |
| Дата публикации: | Июн-2011 |
| Издатель: | Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина |
| Библиографическое описание: | Уколов А.И., Надточий В.А., Голоденко Н.Н. Измерение времени жизни неосновных носителей заряда в приповерхностном слое монокристаллического Ge зондовым методом// Вісник ХНУ, № 962, серія «Фізика». Випуск 15. – Харьков –2011. с. 63- 66. |
| Аннотация: | Исследовано влияние дефектов структуры, созданных в приповерхностном слое монокристаллического германия
резанием и деформированием одноосным сжатием с одновременным ультразвуковым облучением при температуре 310 К,
на время жизни неосновных носителей заряда τ. Измерения выполнены импульсным методом модуляции проводимости в
точечном контакте с поверхностью образцов Ge и методом подвижного светового зонда. Показано, что при малых задержках
измерительного импульса относительно инжектирующего в первом методе можно определять время жизни в приповерхностном
дефектном слое. Сопоставление с методом подвижного светового зонда показало расхождение результатов не более 12%. |
| Описание: | Influence of structure defects created in the subsurface layer of germanium single-crystal by cutting and uniaxial pressing
deformation with simultaneous ultrasonic irradiation at the temperature 310 K on the life time τ of minority charge carriers is
investigated. Measurements are executed by the pulse method of modulation of conductivity in a point contact with the surface of Ge
specimens and by the method of a movable light probe. It is proved that at the small delays of measuring pulse relatively of injecting
one the fi rst method allows to determine life time in the subsurface defective layer. Comparison with the method of a movable light
probe has shown divergence of results no more than 12 %. |
| URI: | http://ea.donntu.org/handle/123456789/6903 |
| Располагается в коллекциях: | Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"
|
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.
|
