|
eaDonNTU, Donetsk >
Автомобильно-дорожный институт >
Факультет "Транспортные и информационные технологии" >
Кафедра "Общенаучные дисциплины" >
Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни" >
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://ea.donntu.ru/handle/123456789/25028
|
| Название: | О применимости методик определения параметров рекомбинации носителей заряда к приповерхностным слоям полупроводника. |
| Авторы: | Уколов, А.И.
Надточий, В.А.
Калимбет, А.З.
Москаль, Д.С. |
| Ключевые слова: | Методика
Methodology
рекомбинация
recombination
приповерхностный слой
surface layer
полупроводник
semiconductor |
| Дата публикации: | 2010 |
| Издатель: | Пошуки і знахідки. СЕРІЯ: фіз. – мат. науки. Матеріали наукової конф.СДПУ – 2010, Слов’янськ, 2010. 88 – 94с. |
| Библиографическое описание: | Уколов А.И. Надточий В.А. Калимбед А.З. Москаль Д.С. О применимости методик определения параметров рекомбинации носителей заряда к приповерхностным слоям полупроводника.// Пошуки і знахідки. СЕРІЯ: фіз. – мат. науки. Матеріали наукової конф.СДПУ – 2010, Слов’янськ, 2010 |
| Аннотация: | В технологиях изготовления полупроводниковых приборов используются
разные методы модификации приповерхностных слоев кристаллов,
направленно изменяющих их физические свойства: легирование примесями,
облучение частицами высоких энергий, шлифование и механическое
полирование |
| Описание: | In technologies of making of semiconductor devices used
different methods of modification of приповерхностных layers of crystals,
directionally changing their physical properties: alloying by admixtures,
irradiation, polishing and mechanical, the particles of high energies
polishing |
| URI: | http://ea.donntu.org/handle/123456789/25028 |
| Располагается в коллекциях: | Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"
|
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.
|
