|
eaDonNTU, Donetsk >
Автомобильно-дорожный институт >
Факультет "Транспортные и информационные технологии" >
Кафедра "Общенаучные дисциплины" >
Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни" >
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://ea.donntu.ru/handle/123456789/25017
|
| Название: | Исследование наноструктур на поверхности монокристаллического Ge методом атомно-силовой микроскопии. |
| Авторы: | Надточий, В.А.
Уколов, А.И.
Костенко, С.А.
Редникин, Д.Ю. |
| Ключевые слова: | Полупроводник
semiconductor
наноструктура
nanostructure
диффузия
diffusion
градиент напряжения
gradient of tension
дислокация
distribution |
| Дата публикации: | 2012 |
| Издатель: | Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2012 - № 2 – 219 с. С 94 – 99. |
| Библиографическое описание: | Надточий В.А. Уколов А.И. Костенко С. А. Редникин Д. Ю Исследование наноструктур на поверхности монокристаллического Ge методом атомно-силовой микроскопии // Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2012 - № 2 – 219 с. |
| Аннотация: | В данной работе методом атомно-силовой микроскопии выполнены исследования поверхности образцов монокристаллического Ge, циклически деформированных одноосным сжатием с одновременным ультразвуковым облучением при температуре 310К. Деформирование кристаллов порождает на поверхности периодические дефектные структуры, обусловленные массопереносом при наличии градиента напряжений и возникновении направленных диффузионных потоков. Дислокационные петли в приповерхностном слое являются источниками зарождения наноструктур типа ямка-островок. При объединении островков на стадии созревания образуются гребни нанометровой высоты, источниками которых являются дислокационные петли, линейно ориентированные полями точечных дефектов. |
| Описание: | In hired the method of atomic-power microscopy is execute researches of surface of standards of single-crystal Ge, cyclic deformed by a monaxonic compression with a simultaneous ultrasonic irradiation at the temperature of 310К. Deformation of crystals generates on a surface the periodic imperfect structures conditioned by массопереносом at presence of gradient of tensions and origin of the directed diffusive streams. Dislocation loops in a surface layer are the sources of origin of nanostructures of type small fossula-island. At the association of small islands the combs of nanometer height, the sources of that are the dislocation loops arcwise oriented by the fields of point defects, appear on the stage of ripening. |
| URI: | http://ea.donntu.org/handle/123456789/25017 |
| ISBN: | 978-966-1554-82-4 |
| Располагается в коллекциях: | Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"
|
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.
|
