|
eaDonNTU, Donetsk >
Автомобильно-дорожный институт >
Факультет "Транспортные и информационные технологии" >
Кафедра "Общенаучные дисциплины" >
Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни" >
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://ea.donntu.ru/handle/123456789/24996
|
| Название: | Формирование наноструктур в Ge при условии дислокационно-поверхностной диффузии |
| Авторы: | Надточий, В.А.
Уколов, А.И.
Нечволод, Н.К. |
| Ключевые слова: | Диффузия
diffusion
дислокация
distribution
поверхность
surface
наноструктура
nanostructure |
| Дата публикации: | 2012 |
| Издатель: | Физика и техника высоких давлений, 2012. - том 22, № 3. С. 54 – 62. |
| Библиографическое описание: | Формирование наноструктур в Ge при условии дислокационно-поверхностной диффузии // Физика и техника высоких давлений, 2012. - том 22, № 3. С. 54 – 62. |
| Аннотация: | Исследовано явление низкотемпературной диффузии в Ge вдоль выходящих на поверхность дислокационных полупетель при создании градиентов напряжения под действием деформации изгиба или сжатия. Показана возможность создания на поверхности низкоразмерных атомних структур,свойства которых изучены методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) и рамановской спектроскопии комбинационного рассеяния света. |
| Описание: | The phenomenon of low temperature diffusion is investigational in Ge along outcropping dislocation semiloops at creation of gradients of tension under the action of deformation of bend or compression. Possibility of creation is shown on the surface of низкоразмерных атомних structures properties of that are studied by the methods of atomic-power microscopy and romane spectroscopy of combination dispersion of light. |
| URI: | http://ea.donntu.org/handle/123456789/24996 |
| Располагается в коллекциях: | Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"
|
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.
|
